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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Rückspannung max.	0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom	68A
Gehäuse	SOT227B
Elektrische Montage	schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	330A
Technologie	POWER MOS 7®, PT
Verpackungs-Art	Tube
Mechanische Montage	schraubbar

APT80GP60JDQ3

Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 600V; Ic: 68A; SOT227B

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke