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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	600V
Drainstrom	72A
Gehäuse	SP4
Elektrische Montage	Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	35mΩ
Drainstrom im Impuls	288A
Verlustleistung	416W
Technologie	CoolMOS™
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTC60AM35SCTG

Modul; Diode/Transistor; 600V; 72A; SP4; Steckverbinder FASTON

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke