APTC60AM45B1G
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; Idm: 130A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC60AM45B1G
Symbol TME:
APTC60AM45B1G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 38A | ||
Gehäuse | SP1 | ||
Topologie | boost chopper, MOSFET Halbbrücke | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 130A | ||
Verlustleistung | 250W | ||
Technologie | CoolMOS™ | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
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* APTC60AM45B1GAnzahl Stück (Vielfache: 12)
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Nettopreis für Mengen von 12 st - 70.21 EURBruttopreis für Mengen von 12 st - 84.25 EUR
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