APTC60AM45BC1G
Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 38A; SP1; Press-in PCB; 250W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC60AM45BC1G
Symbol TME:
APTC60AM45BC1G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 38A | ||
Gehäuse | SP1 | ||
Topologie | boost chopper, MOSFET Halbbrücke | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 130A | ||
Verlustleistung | 250W | ||
Technologie | CoolMOS™, SiC | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTC60AM45BC1GAnzahl Stück (Vielfache: 11)
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Nettopreis für Mengen von 11 st - 83.59 USDBruttopreis für Mengen von 11 st - 100.30 USD
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