APTC60DHM24T3G
Modul; Diode/Transistor; 600V; 70A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 260A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC60DHM24T3G
Symbol TME:
APTC60DHM24T3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 70A | ||
Gehäuse | SP3F | ||
Topologie | asymmetrische Brücke, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 260A | ||
Verlustleistung | 462W | ||
Technologie | SJ-MOSFET | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* APTC60DHM24T3GAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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