APTC60HM35T3G
Modul; Transistor/Transistor; 600V; 54A; SP3F; Press-in PCB; 416W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC60HM35T3G
Symbol TME:
APTC60HM35T3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 54A | ||
Gehäuse | SP3F | ||
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 35mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 200A | ||
Verlustleistung | 416W | ||
Technologie | SJ-MOSFET | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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