APTC60HM45SCTG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 600V; 38A; SP4; Idm: 130A; 250W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTC60HM45SCTG
Symbol TME:
APTC60HM45SCTG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 38A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 130A | ||
Verlustleistung | 250W | ||
Technologie | CoolMOS™, SiC, SJ-MOSFET | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* APTC60HM45SCTGAnzahl Stück (Vielfache: 6)
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Nettopreis für Mengen von 6 st - 137.17 EURBruttopreis für Mengen von 6 st - 164.60 EUR
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