APTCV60HM45BT3G
Modul; Diode/Transistor; 600V; 38A; SP3F; Press-in PCB; Idm: 130A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTCV60HM45BT3G
Symbol TME:
APTCV60HM45BT3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 38A | ||
Gehäuse | SP3F | ||
Topologie | boost chopper, Brücke H, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 130A | ||
Verlustleistung | 250W | ||
Technologie | CoolMOS™, Field Stop, Trench | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTCV60HM45BT3GAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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