APTGL475A120D3G
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGL475A120D3G
Symbol TME:
APTGL475A120D3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 475A | |
Gehäuse | D3 | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 900A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht350 g
Zertifikate
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* APTGL475A120D3GAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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Nettopreis für Mengen von 4 st - 289.72 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 347.66 USD
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