APTGT150TL60G
Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTGT150TL60G
Symbol TME:
APTGT150TL60G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-Level 1-Phasen Wechselrichter | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 150A | |
Gehäuse | SP6C | |
Anwendung | Photovoltaik | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 300A | |
Technologie | Field Stop, Trench | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module MICROCHIP TECHNOLOGY,
* APTGT150TL60GAnzahl Stück (Vielfache: 6)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 6 st - 137.62 EURBruttopreis für Mengen von 6 st - 165.14 EUR
Angebot verfügbar für eingeloggte Kunden