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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Rückspannung max.	0,6kV
Kollektor-Emitter-Strom	30A
Gehäuse	SP1
Anwendung	Photovoltaik
Elektrische Montage	Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	60A
Technologie	Field Stop, Trench
Mechanische Montage	schraubbar

APTGT30TL601G

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke