APTM100A13SCG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1kV; 49A; SP6C; Idm: 240A; 1,25kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100A13SCG
Symbol TME:
APTM100A13SCG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 49A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 156mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 240A | ||
Verlustleistung | 1,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 7®, SiC | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM100A13SCGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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Nettopreis für Mengen von 4 st - 263.98 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 316.78 USD
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