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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	59A
Gehäuse	SP6C
Topologie	MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	0,105Ω
Drainstrom im Impuls	312A
Verlustleistung	1,25kW
Technologie	FREDFET, POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100AM90FG

Modul; Transistor/Transistor; 1kV; 59A; SP6C; Idm: 312A; 1,25kW

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke