APTM100H45FT3G
Modul; Transistor/Transistor; 1kV; 14A; SP3; Press-in PCB; Idm: 72A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100H45FT3G
Symbol TME:
APTM100H45FT3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 14A | ||
Gehäuse | SP3 | ||
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,54Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 72A | ||
Verlustleistung | 357W | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* APTM100H45FT3GAnzahl Stück (Vielfache: 8)
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Nettopreis für Mengen von 8 st - 119.91 USDBruttopreis für Mengen von 8 st - 143.89 USD
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