APTM100H45STG
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 14A; SP4; Idm: 72A; 357W; POWER MOS 7®
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100H45STG
Symbol TME:
APTM100H45STG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 14A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | H-Brücke + Paralleldioden + Reihendioden, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,54Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 72A | ||
Verlustleistung | 357W | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM100H45STGAnzahl Stück (Vielfache: 7)
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Nettopreis für Mengen von 7 st - 148.52 USDBruttopreis für Mengen von 7 st - 178.22 USD
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