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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	17A
Gehäuse	SP6P
Topologie	MOSFET x3 Halbbrücke
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	0,42Ω
Drainstrom im Impuls	88A
Verlustleistung	390W
Technologie	FREDFET, POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100TA35FPG

Modul; Transistor/Transistor; 1kV; 17A; SP6P; Press-in PCB; 390W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke