APTM100TA35SCTPG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1kV; 17A; SP6P; Press-in PCB; Idm: 88A
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100TA35SCTPG
Symbol TME:
APTM100TA35SCTPG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 17A | ||
Gehäuse | SP6P | ||
Topologie | NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,42Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 88A | ||
Verlustleistung | 390W | ||
Technologie | POWER MOS 7®, SiC | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht250 g
Zertifikate
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* APTM100TA35SCTPGAnzahl Stück (Vielfache: 3)
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