APTM100UM45DAG
Modul; Diode/Transistor; 1kV; 160A; SP6C; Idm: 860A; 5kW; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM100UM45DAG
Symbol TME:
APTM100UM45DAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1kV | ||
Drainstrom | 160A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | einzelner Transistor + Reihendiode | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 52mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 860A | ||
Verlustleistung | 5kW | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM100UM45DAGAnzahl Stück (Vielfache: 3)
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