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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	einzelner Transistor
Drain-Source Spannung	1kV
Drainstrom	97A
Gehäuse	SP6C
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Polarisierung	unipolar
Widerstand im Leitungszustand	70mΩ
Drainstrom im Impuls	516A
Verlustleistung	2,272kW
Technologie	POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM100UM60FAG

Modul; einzelner Transistor; 1kV; 97A; SP6C; Idm: 516A; 2272W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke