APTM10DAM05TG
Modul; Diode/Transistor; 100V; 207A; SP4; Idm: 1100A; 780W; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM10DAM05TG
Symbol TME:
APTM10DAM05TG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 207A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | boost chopper, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 5mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1100A | ||
Verlustleistung | 780W | ||
Technologie | POWER MOS 5® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* APTM10DAM05TGAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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