APTM10HM09FT3G
Modul; Transistor/Transistor; 100V; 100A; SP3F; Press-in PCB; 390W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM10HM09FT3G
Symbol TME:
APTM10HM09FT3G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 100V | ||
Drainstrom | 100A | ||
Gehäuse | SP3F | ||
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 10mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 430A | ||
Verlustleistung | 390W | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 5® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* APTM10HM09FT3GAnzahl Stück (Vielfache: 8)
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