APTM120A20DG
Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 37A; SP6C; Idm: 200A; 1,25kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM120A20DG
Symbol TME:
APTM120A20DG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 37A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,24Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 200A | ||
Verlustleistung | 1,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM120A20DGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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