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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	23A
Gehäuse	SP1
Topologie	boost chopper, NTC Thermistor
Elektrische Montage	Press-in PCB
Widerstand im Leitungszustand	0,36Ω
Drainstrom im Impuls	195A
Verlustleistung	657W
Technologie	POWER MOS 8®
Gate-Source Spannung	±30V
Mechanische Montage	schraubbar

APTM120DA30T1G

Modul; Diode/Transistor; 1,2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; Idm: 195A

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke