APTM20AM06SG
Modul; Diode/Transistor; 200V; 225A; SP6C; Idm: 1200A; 1,25kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM20AM06SG
Symbol TME:
APTM20AM06SG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 200V | ||
Drainstrom | 225A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 7,2mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 1,2kA | ||
Verlustleistung | 1,25kW | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke
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* APTM20AM06SGAnzahl Stück (Vielfache: 5)
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Nettopreis für Mengen von 5 st - 189.73 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 227.67 EUR
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