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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 200V | ||
Drainstrom | 131A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 12mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 700A | ||
Verlustleistung | 694W | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |