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APTM20AM10STG

Modul; Diode/Transistor; 200V; 131A; SP4; Idm: 700A; 694W; Ugs: ±30V

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APTM20AM10STG
Symbol TME:
APTM20AM10STG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Drain-Source Spannung
200V
Drainstrom
131A
Gehäuse
SP4
Topologie
Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden, NTC Thermistor
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand
12mΩ
Drainstrom im Impuls
700A
Verlustleistung
694W
Technologie
POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung
±30V
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht160 g
Zertifikate

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APTM20AM10STG
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