APTM20HM20STG
Modul; Diode/Transistor; 200V; 66A; SP4; Idm: 356A; 357W; Ugs: ±30V
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM20HM20STG
Symbol TME:
APTM20HM20STG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 200V | ||
Drainstrom | 66A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | H-Brücke + Paralleldioden + Reihendioden, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 24mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 356A | ||
Verlustleistung | 357W | ||
Technologie | POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* APTM20HM20STGAnzahl Stück (Vielfache: 8)
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Nettopreis für Mengen von 8 st - 110.87 EURBruttopreis für Mengen von 8 st - 133.03 EUR
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