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APTM20SKM08TG

Modul; Diode/Transistor; 200V; 155A; SP4; Idm: 832A; 781W; Ugs: ±30V

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APTM20SKM08TG
Symbol TME:
APTM20SKM08TG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Drain-Source Spannung
200V
Drainstrom
155A
Gehäuse
SP4
Topologie
buck chopper, NTC Thermistor
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand
10mΩ
Drainstrom im Impuls
832A
Verlustleistung
781W
Technologie
POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung
±30V
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht160 g
Zertifikate

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