APTM20UM03FAG
Modul; Diode/Transistor; 200V; 434A; SP6C; Idm: 2320A; 2,27kW
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM20UM03FAG
Symbol TME:
APTM20UM03FAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 200V | ||
Drainstrom | 434A | ||
Gehäuse | SP6C | ||
Topologie | einzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 3,6mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 2320A | ||
Verlustleistung | 2,27kW | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 7® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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* APTM20UM03FAGAnzahl Stück (Vielfache: 4)
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Nettopreis für Mengen von 4 st - 241.35 EURBruttopreis für Mengen von 4 st - 289.62 EUR
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