APTM50H15FT1G
Modul; Transistor/Transistor; 500V; 19A; SP1; Press-in PCB; 208W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50H15FT1G
Symbol TME:
APTM50H15FT1G
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 500V | ||
Drainstrom | 19A | ||
Gehäuse | SP1 | ||
Topologie | Brücke H, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 156mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 135A | ||
Verlustleistung | 208W | ||
Technologie | FREDFET, POWER MOS 8® | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
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* APTM50H15FT1GAnzahl Stück (Vielfache: 16)
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Nettopreis für Mengen von 16 st - 51.68 EURBruttopreis für Mengen von 16 st - 62.01 EUR
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