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APTM50UM09FAG

Modul; einzelner Transistor; 500V; 371A; SP6C; Idm: 1988A; 5kW

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
APTM50UM09FAG
Symbol TME:
APTM50UM09FAG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
einzelner Transistor
Drain-Source Spannung
500V
Drainstrom
371A
Gehäuse
SP6C
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Polarisierung
unipolar
Widerstand im Leitungszustand
10mΩ
Drainstrom im Impuls
1988A
Verlustleistung
5kW
Technologie
FREDFET, POWER MOS 7®
Gate-Source Spannung
±30V
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht300 g
Zertifikate

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APTM50UM09FAG
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