FD1000R33HE3KBPSA1
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck-boost chopper; Urmax: 3,3kV
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Kennzeichnung des Herstellers:
FD1000R33HE3KBPSA1
Symbol TME:
FD1000R33HE3KBPSA1
Technische Daten
Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | buck-boost chopper | |
Rückspannung max. | 3,3kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 1kA | |
Gehäuse | AG-IHVB190 | |
Anwendung | Wechselrichter | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 2kA | |
Verlustleistung | 11,5kW | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht1.2 kg
Zertifikate
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* FD1000R33HE3KBPSA1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 1 st - 2 600.00 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 3 120.00 EUR
Nettopreis für Mengen von 3 st - 2 300.00 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 2 760.00 EUR