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GD400HFX170C2S

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1700V

Produktfamilie

Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
GD400HFX170C2S
Symbol TME:
GD400HFX170C2S

Technische Daten

Hersteller
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
IGBT Halbbrücke
Rückspannung max.
1,7kV
Kollektor-Emitter-Strom
400A
Gehäuse
C2 62mm
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
800A
Technologie
Trench FS IGBT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht300 g
Zertifikate
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GD400HFX170C2S
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