IXDN55N120D1
Modul: IGBT; einzelner Transistor; Urmax: 1,2kV; Ic: 62A; SOT227B
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXDN55N120D1
Symbol TME:
IXDN55N120D1
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 62A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 124A | |
Verlustleistung | 450W | |
Technologie | NPT | |
Eigenschaften von Halbleiterelementen | Hochspannung | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st