IXKN75N60C
Modul; einzelner Transistor; 600V; 50A; SOT227B; schraubbar; 560W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXKN75N60C
Symbol TME:
IXKN75N60C
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 50A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 36mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 250A | ||
Verlustleistung | 560W | ||
Technologie | CoolMOS™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 500nC | ||
Bereitschaftszeit | 580ns | ||
Gate-Source Spannung | ±20V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.01 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: Transistor modules IXYS,
* IXKN75N60CAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 56.21 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 67.45 EUR
Nettopreis für Mengen von 3 st - 53.34 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 64.01 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 52.60 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 63.12 EUR
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st