IXTN32P60P
Modul; einzelner Transistor; -600V; -32A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN32P60P
Symbol TME:
IXTN32P60P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | -600V | |
Drainstrom | -32A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,35Ω | |
Drainstrom im Impuls | -96A | |
Verlustleistung | 890W | |
Technologie | PolarP™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 196nC | |
Bereitschaftszeit | 480ns | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht38.3 g
Zertifikate
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