IXTN8N150L
Modul; einzelner Transistor; 1,5kV; 7,5A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN8N150L
Symbol TME:
IXTN8N150L
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | |
Drain-Source Spannung | 1,5kV | |
Drainstrom | 7,5A | |
Gehäuse | SOT227B | |
Elektrische Montage | schraubbar | |
Polarisierung | unipolar | |
Widerstand im Leitungszustand | 3,6Ω | |
Drainstrom im Impuls | 20A | |
Verlustleistung | 545W | |
Technologie | Linear™ | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 250nC | |
Bereitschaftszeit | 1,7µs | |
Gate-Source Spannung | ±40V | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXTN8N150LAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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