IXTN90P20P
Modul; einzelner Transistor; -200V; -90A; SOT227B; schraubbar
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
IXTN90P20P
Symbol TME:
IXTN90P20P
Technische Daten
Hersteller | IXYS | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | -200V | ||
Drainstrom | -90A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 44mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | -270A | ||
Verlustleistung | 890W | ||
Technologie | PolarP™ | ||
Kanal-Art | anreicherungs | ||
Gate-Ladung | 205nC | ||
Bereitschaftszeit | 315ns | ||
Gate-Source Spannung | ±30V | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* IXTN90P20PAnzahl Stück (Vielfache: 300)
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