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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Transistor-Typ	N-MOSFET
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	500V
Drainstrom	30mA
Drainstrom im Impuls	0,03A
Verlustleistung	0,74W
Gehäuse	TO92
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	1kΩ
Montage	THT
Verpackungs-Art	unverpackt
Kanal-Art	verarmungs

LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY - Transistor N-MOSFET

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 740mW; TO92

Kennzeichnung des Herstellers:
LND150N3-G

Symbol TME:
LND150N3-G

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke

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