MID75-12A3
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MID75-12A3
Symbol TME:
MID75-12A3
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | boost chopper | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 60A | |
Gehäuse | Y4-M5 | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 400A | |
Verlustleistung | 370W | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht111.5 g
Zertifikate
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