MII200-12A4
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MII200-12A4
Symbol TME:
MII200-12A4
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 180A | |
Gehäuse | Y3-DCB | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 360A | |
Verlustleistung | 1,13kW | |
Technologie | NPT | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MII200-12A4Anzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 244.73 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 293.68 USD
Nettopreis für Mengen von 4 st - 219.33 USDBruttopreis für Mengen von 4 st - 263.20 USD
Nettopreis für Mengen von 6 st - 197.40 USDBruttopreis für Mengen von 6 st - 236.88 USD