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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,7kV | ||
Drainstrom | 40A | ||
Gehäuse | SOT227 | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 45mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 200A | ||
Verlustleistung | 270W | ||
Technologie | SiC | ||
Mechanische Montage | schraubbar |