MSC080SMA120J
Modul; einzelner Transistor; 1,2kV; 24A; SOT227B; schraubbar; 165W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSC080SMA120J
Symbol TME:
MSC080SMA120J
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 24A | ||
Gehäuse | SOT227B | ||
Elektrische Montage | schraubbar | ||
Polarisierung | unipolar | ||
Widerstand im Leitungszustand | 0,1Ω | ||
Drainstrom im Impuls | 111A | ||
Verlustleistung | 165W | ||
Technologie | SiC | ||
Gate-Source Spannung | -10...23V | ||
Verpackungs-Art | Tube | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht36.5 g
Zertifikate
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* MSC080SMA120JAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 10 st