MSCC60AM23C4AG
Modul; SiC-Diode/Thyristor/Transistor; 600V; 81A; SP4; SiC
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCC60AM23C4AG
Symbol TME:
MSCC60AM23C4AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Thyristor/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 600V | ||
Drainstrom | 81A | ||
Gehäuse | SP4 | ||
Topologie | Vienna Rectifier | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 23mΩ | ||
Technologie | SiC | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht160 g
Zertifikate
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* MSCC60AM23C4AGAnzahl Stück (Vielfache: 5)
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Nettopreis für Mengen von 5 st - 162.94 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 195.53 EUR
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