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MSCC60AM23C4AG

Modul; SiC-Diode/Thyristor/Transistor; 600V; 81A; SP4; SiC

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
MSCC60AM23C4AG
Symbol TME:
MSCC60AM23C4AG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
SiC-Diode/Thyristor/Transistor
Drain-Source Spannung
600V
Drainstrom
81A
Gehäuse
SP4
Topologie
Vienna Rectifier
Elektrische Montage
schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand
23mΩ
Technologie
SiC
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht160 g
Zertifikate

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MSCC60AM23C4AG
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