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MSCMC90AM12C3AG

Modul; SiC-Diode/Thyristor/Transistor; 900V; SP3F; Press-in PCB

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
MSCMC90AM12C3AG
Symbol TME:
MSCMC90AM12C3AG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
SiC-Diode/Thyristor/Transistor
Drain-Source Spannung
900V
Gehäuse
SP3F
Topologie
Vienna Rectifier
Elektrische Montage
Press-in PCB
Technologie
SiC
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht110 g
Zertifikate

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