MSCSM120AM042CD3AG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 395A; D3; Idm: 990A; 2031W; SiC
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM120AM042CD3AG
Symbol TME:
MSCSM120AM042CD3AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 395A | ||
Gehäuse | D3 | ||
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden | ||
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | ||
Widerstand im Leitungszustand | 5,2mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 990A | ||
Verlustleistung | 2031W | ||
Technologie | SiC | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht350 g
Zertifikate
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* MSCSM120AM042CD3AGAnzahl Stück (Vielfache: 2)
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