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Hersteller	MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls	Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters	SiC-Diode/Transistor
Drain-Source Spannung	1,2kV
Drainstrom	395A
Gehäuse	SP6C
Topologie	Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden, NTC Thermistor
Elektrische Montage	schraubbar, Steckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand	5,2mΩ
Drainstrom im Impuls	990A
Verlustleistung	2031W
Technologie	SiC
Mechanische Montage	schraubbar

MSCSM120AM042CT6AG

Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 395A; SP6C; Idm: 990A; 2031W

Technische Daten

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke