MSCSM120VR1M31C1AG
Modul; 1,2kV; 89A; 395W; SiC
NEUHEIT
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM120VR1M31C1AG
Symbol TME:
MSCSM120VR1M31C1AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Drain-Source Spannung | 1,2kV | |
Drainstrom | 89A | |
Widerstand im Leitungszustand | 31mΩ | |
Verlustleistung | 395W | |
Technologie | SiC |
Bruttogewicht4 g
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