MSCSM70TAM05TPAG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 700V; 278A; SP6P; Press-in PCB; 966W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM70TAM05TPAG
Symbol TME:
MSCSM70TAM05TPAG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | |
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | |
Drain-Source Spannung | 700V | |
Drainstrom | 278A | |
Gehäuse | SP6P | |
Topologie | MOSFET x3 Halbbrücke, NTC Thermistor | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Widerstand im Leitungszustand | 6,4mΩ | |
Drainstrom im Impuls | 700A | |
Verlustleistung | 966W | |
Technologie | SiC | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht250 g
Zertifikate
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* MSCSM70TAM05TPAGAnzahl Stück (Vielfache: 2)
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