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Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, BJT | |
Drain-Source Spannung | 100V | |
Drainstrom | 120A | |
Gehäuse | Gull wing, ISOPLUS-DIL™ | |
Widerstand im Leitungszustand | 4mΩ | |
Verlustleistung | 1,2kW | |
Technologie | Trench | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Gate-Ladung | 88nC | |
Bereitschaftszeit | 45ns | |
Gate-Source Spannung | -15...15V | |
Montage | SMD | |
Anwendung | Automobilbranche |